采用超导材料的电子器件
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
叙述了一种新型的超导电子器件。在介绍中，根据本发明制造一种场效应半导体器件。在该半导体器件的源区和漏区上淀积上超导陶瓷材料，其间夹有绝缘膜，起隧道电流膜的作用。
基本信息
专利标题 ：
采用超导材料的电子器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1031627A
申请号 ：
CN88106274.X
公开（公告）日 ：
1989-03-08
申请日 ：
1988-08-24
授权号 ：
CN1014382B
授权日 ：
1991-10-16
发明人 ：
山崎舜平
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
肖掬昌
优先权 ：
CN88106274.X
主分类号 ：
H01L39/22
IPC分类号 ：
H01L39/22
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法律状态
1998-10-14 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1992-07-01 ：
授权
1991-10-16 ：
审定
1990-11-07 ：
实质审查请求
1989-03-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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