高临界温度超导厚膜磁通变换器
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明涉及与超导量子干涉器(SQUID)配用的高Tc超导厚膜磁通变换器，主要包括：衬底、高Tc超导厚膜螺旋线圈，厚膜回线和中间绝缘层，所用超导材料是y系或Bi系氧化物，衬底用ZrO，Al2O3，SrTi3O或MgO材料，中间绝缘层采用Y2BaCuO，BaCuO，ZrO，Al2O3，SrTi3O，PrBa2Cu3O或MgO材料，螺线与回线之间可以通过不同方式构成闭合回路，所述的变换器与SQUID配用可提高磁场测量灵敏度，适用于医学工程以及计量、地质、生物等技术领域。
基本信息
专利标题 ：
高临界温度超导厚膜磁通变换器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1056936A
申请号 ：
CN90103774.5
公开（公告）日 ：
1991-12-11
申请日 ：
1990-05-28
授权号 ：
CN1028307C
授权日 ：
1995-04-26
发明人 ：
李汉青林安中
申请人 ：
北京有色金属研究总院
申请人地址 ：
100088北京市新街口外大街2号
代理机构 ：
北京市第三专利代理事务所
代理人 ：
陆菊华
优先权 ：
CN90103774.5
主分类号 ：
G01R33/035
IPC分类号 ：
G01R33/035
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R33/00
测量磁变量的装置或仪器
G01R33/02
测量磁场或磁通量的方向或大小
G01R33/035
采用超导器件
法律状态
1996-07-10 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1995-04-26 ：
授权
1993-04-14 ：
实质审查请求的生效
1991-12-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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