一种单晶薄膜的制备方法以及单晶超导约瑟夫森结的制备方法
公开
摘要
本发明提供一种单晶薄膜的制备方法，包括以下步骤：提供一衬底，退火处理；利用溅射外延方法于衬底上沉积获得单晶薄膜。溅射外延方法的参数为：以纯金属靶或者单晶Al2O3作为靶材，生长温度为950～1050℃，射频功率为80～120W、气氛为纯氮气气氛、气压为0.001～0.05Torr。采用溅射外延方法沉积获得高质量的单晶薄膜，解决现有技术中超导约瑟夫森结难以获得高质量的单晶多层膜的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种单晶薄膜的制备方法以及单晶超导约瑟夫森结的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114525579A
申请号 ：
CN202111622837.6
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈卫曹彦伟张如意
申请人 ：
中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请人地址 ：
浙江省宁波市镇海区庄市大道519号
代理机构 ：
宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
王玲华
优先权 ：
CN202111622837.6
主分类号 ：
C30B25/06
IPC分类号 ：
C30B25/06 C30B25/04 C30B25/16 C30B25/18 C30B29/10 C30B29/38 H01L39/22 H01L39/24
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/06
反应溅射法的
法律状态
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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