基于TaN的约瑟夫森结及其制备方法
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摘要
本发明提供一种基于TaN的约瑟夫森结及其制备方法，制备方法包括：提供衬底，形成NbN底层膜、金属TaN势垒层以及NbN顶层膜，刻蚀定义底电极和结区，形成隔离层和配线层。本发明通过离子氮化工艺形成金属TaN势垒层，得到SNS结构约瑟夫森结，可以提高势垒层电阻率的稳定性，无需并联电阻，解决了SIS约瑟夫森结磁通噪声及集成度的问题，提高了工艺重复性以及稳定性，势垒层材料的电阻率及厚度等可通过离子氮化时间及功率等参数自由调控，有效避免了S/N界面处绝缘层的形成，表面平整度高及氮化均匀性好，改善了SNS结的特征电压IcRn很小，限制了器件的高频应用的缺陷，有利于高质量NbN SNS约瑟夫森结的研发。
基本信息
专利标题 ：
基于TaN的约瑟夫森结及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111969100A
申请号 ：
CN202010871234.9
公开（公告）日 ：
2020-11-20
申请日 ：
2020-08-26
授权号 ：
CN111969100B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
张露闫恺心陈垒王镇
申请人 ：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请人地址 ：
上海市长宁区长宁路865号
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
佟婷婷
优先权 ：
CN202010871234.9
主分类号 ：
H01L39/24
IPC分类号 ：
H01L39/24 H01L39/22 H01L39/12 H01L39/02
相关图片
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2020-12-08 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 39/24
申请日 : 20200826
申请日 : 20200826
2020-11-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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