一种超导约瑟夫森结及其制备方法
公开
摘要
本发明实施例涉及一种超导约瑟夫森结及其制备方法，包括：在本征硅衬底上通过磁控溅射设备依次制备第一Nb层、Al‑Al 2O3层和第二Nb层得到具有三层结构的样品；通过电子束曝光在三层结构上形成结区；通过反应离子刻蚀去除所述待刻蚀区域中的第二Nb层；化学气相淀积S i3N4绝缘层；通过剥离工艺去除正性电子束抗蚀剂ZEP520及淀积在所述正性电子束抗蚀剂ZEP520上的S i3N4绝缘层；将样品进行化学气相淀积S i 3N4绝缘层，通过光刻和反应离子刻蚀去除结区上方的S i 3N4绝缘层，形成接触孔；进行样品表面清洁后再磁控溅射制备第三Nb层，通过光刻和反应离子刻蚀去除接触孔所在投影区域以外区域的第三Nb层；对所得样品进行清洗后即得到超导约瑟夫森结。
基本信息
专利标题 ：
一种超导约瑟夫森结及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628571A
申请号 ：
CN202210243219.9
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-03-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
胡志伟邱祥冈
申请人 ：
中国科学院物理研究所
申请人地址 ：
北京市海淀区中关村南三街8号
代理机构 ：
北京慧诚智道知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
白洁
优先权 ：
CN202210243219.9
主分类号 ：
H01L39/24
IPC分类号 ：
H01L39/24 H01L39/22 H01L39/00 C23C14/16 C23C14/35 C23C14/58 C23C16/34 C23C16/50 C23C28/00
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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