一种基于MoN的SNS约瑟夫森结及其制备方法
公开
摘要
本发明提供一种基于MoN的SNS约瑟夫森结及其制备方法，该基于MoN的SNS约瑟夫森结的制备方法包括以下步骤，提供一衬底，于衬底上形成层叠的NbN底层膜、MoN势垒层及NbN顶层膜的功能材料层，其中，采用直流反应磁控溅射法形成MoN势垒层，刻蚀功能材料层以形成底电极、MoN结势垒层及顶电极，并形成覆盖底电极、MoN结势垒层及顶电极显露表面的隔离层，于隔离层上形成第一接触孔及第二接触孔，并形成覆盖隔离层及填充第一接触孔与第二接触孔的配线层，刻蚀配线层以形成第一配线部及第二配线部。本发明通过采用直流反应磁控溅射的方法形成MoN势垒层，得到电阻率稳定的MoN势垒层，提升了约瑟夫森结的质量。
基本信息
专利标题 ：
一种基于MoN的SNS约瑟夫森结及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566588A
申请号 ：
CN202210245977.4
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-03-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张露陈垒王镇
申请人 ：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请人地址 ：
上海市长宁区长宁路865号
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
余明伟
优先权 ：
CN202210245977.4
主分类号 ：
H01L39/24
IPC分类号 ：
H01L39/24 H01L39/22 H01L39/12
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
