具有NbN SNS约瑟夫森结的超导集成电路及其制作方法
公开
摘要
本发明提供一种具有NbN SNS约瑟夫森结的超导集成电路及其制作方法，该超导集成电路包括衬底、功能层、第一隔离层、第一配线部、第二配线部、第二隔离层、第一接地层及第二接地层，其中，功能层位于衬底上表面且包括底电极、结势垒层及顶电极，第一隔离层覆盖衬底上表面及功能层显露表面且设有第一接触孔及第二接触孔，第一配线部及第二配线部分别填充第一接触孔及第二接触孔，第二隔离层覆盖第一隔离层上表面及第一配线部和第二配线部显露表面且其中设有第一通孔及第二通孔，第一及第二接地层分别填充第一通孔与第二通孔。本发明通过采用较厚的金属氮化物作为结势垒层，提升了约瑟夫森结单元的临界电流密度，提高了电路的最高工作频率。
基本信息
专利标题 ：
具有NbN SNS约瑟夫森结的超导集成电路及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566586A
申请号 ：
CN202210245581.X
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-03-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张露陈垒王镇
申请人 ：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请人地址 ：
上海市长宁区长宁路865号
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
余明伟
优先权 ：
CN202210245581.X
主分类号 ：
H01L39/24
IPC分类号 ：
H01L39/24 H01L39/22 H01L39/12
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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