集成电路组件及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本申请公开了一种集成电路组件及其制作方法。该制作方法包括：将多个晶圆进行键合，多个晶圆至少包括第一晶圆和第二晶圆，修整第二晶圆的边缘部分形成台阶；填充该台阶形成支撑层；以及对第二晶圆的第一表面进行化学机械抛光获得平整表面，其中，所述第二晶圆的第一表面远离所述第一晶圆。该集成电路组件通过修整去除第二晶圆的边缘部分，并且采用支撑层提供保护以免化学机械抛光工艺期间发生更严重的边缘厚度小于中心厚度的问题，从而可以获得平整表面，在光刻工艺中可以准确聚焦，从而提高集成电路组件的良率和可靠性。
基本信息
专利标题 ：
集成电路组件及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496727A
申请号 ：
CN202111622663.3
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
乔龙云李漾
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人 ：
蔡纯
优先权 ：
CN202111622663.3
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/98 H01L25/18 H01L27/11575 H01L27/11582
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20211228
申请日 : 20211228
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
