集成电路中厚金属电感的制作方法
专利申请权、专利权的转移
摘要
本发明公开了一种集成电路中厚金属电感的制作方法。本发明集成电路中厚金属电感的制作方法,包括以下步骤:第一步,采用物理气相沉积依次淀积Ti、TiN、AlCu、TiN形成顶层互连厚金属膜;第二步,采用厚的光刻胶作为刻蚀时的金属图形保护层对厚金属层进行光刻;第三步,以Cl2和BCl3为主要刻蚀气体以干法刻蚀方法进行厚金属层刻蚀;第四步,采用湿法清洗进行刻蚀后的清洗。本发明适用于集成电路制造领域。
基本信息
专利标题 :
集成电路中厚金属电感的制作方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1979800A
申请号 :
CN200510111287.6
公开(公告)日 :
2007-06-13
申请日 :
2005-12-08
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
姚泽强金炎俞波
申请人 :
上海华虹NEC电子有限公司
申请人地址 :
201206上海市浦东新区川桥路1188号
代理机构 :
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 :
丁纪铁
优先权 :
CN200510111287.6
主分类号 :
H01L21/768
IPC分类号 :
H01L21/768 H01L21/3213
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2014-02-05 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101689309957
IPC(主分类) : H01L 21/768
专利号 : ZL2005101112876
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 上海华虹NEC电子有限公司
变更后权利人 : 上海华虹宏力半导体制造有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201206 上海市浦东新区川桥路1188号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
登记生效日 : 20140108
号牌文件序号 : 101689309957
IPC(主分类) : H01L 21/768
专利号 : ZL2005101112876
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 上海华虹NEC电子有限公司
变更后权利人 : 上海华虹宏力半导体制造有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201206 上海市浦东新区川桥路1188号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
登记生效日 : 20140108
2009-04-01 :
授权
2007-08-08 :
实质审查的生效
2007-06-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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