申请公开了一种集成芯片及其制作方法和集成电路，集成芯片包括衬底、外延层、隔离结构、氮化镓高电子迁移率晶体管和表面声波滤波器，所述隔离结构将所述外延层划分第一外延层和压电层，并将所述氮化镓高电子迁移率晶体管和所述表面声波滤波器隔离；所述氮化镓高电子迁移率晶体管包括设置在所述第一外延层上的源极、漏极和栅极；所述表面声波滤波器包括设置在所述压电层上的第一叉指换能器和第二叉指换能器；所述氮化镓高电子迁移率晶体管和所述表面声波滤波器通过金属导线互联。通过上述设计，将射频前端中的氮化镓高电子迁移率晶体管和表面声波滤波器做到一个芯片上，从而增加射频器件的集成度，达到减小器件面积、降低损耗、提升器件总体性能的目的。