基于NbN约瑟夫森结的超导量子比特结构及其制备方法
公开
摘要
本发明提供一种基于NbN约瑟夫森结的超导量子比特结构及其制备方法，该超导量子比特结构包括衬底、缓冲层、功能层、隔离层、第一配线部及第二配线部，其中，缓冲层位于衬底的上表面，功能层位于缓冲层的上表面且包括间隔设置的电容器、第一约瑟夫森结、第二约瑟夫森结及谐振器，隔离层填充功能层中的间隙并覆盖功能层的显露表面及衬底的上表面，且隔离层中设有第一接触孔及第二接触孔，第一配线部填充于第一接触孔并与第一约瑟夫森结的上表面接触，第二配线部填充于第二接触孔并与第二约瑟夫森结的上表面接触。本发明通过采用高阻率的硅作为衬底、绝缘性的TaN膜作为约瑟夫森结的结区，减少了衬底中电荷涨落，增强了超导量子比特的相干性。
基本信息
专利标题 ：
基于NbN约瑟夫森结的超导量子比特结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114583038A
申请号 ：
CN202210226252.0
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-03-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张露陈垒王镇
申请人 ：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请人地址 ：
上海市长宁区长宁路865号
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
余明伟
优先权 ：
CN202210226252.0
主分类号 ：
H01L39/24
IPC分类号 ：
H01L39/24 H01L39/22 H01L39/12 G06N10/40
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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