可扩展量子比特结构

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摘要

一种可扩展量子比特结构，结构包括：基片(100)，其上形成有阵列排布的矩形槽(102)，矩形槽(102)两侧生长有定位型自组织锗硅纳米线(103)，定位型自组织锗硅纳米线(103)的位置及尺寸可控；源漏电极设于定位型自组织锗硅纳米线(103)的两端；源漏外围大电极(300)，连接源漏电极；绝缘层(400)，其形成在源漏外围大电极(300)上方，绝缘层(400)上形成有分立的电荷感应量子点顶层金属栅极(401)与被探测量子点顶层金属栅极(402)；顶层外围大电极(500)，连接顶层金属栅极。该量子比特结构的空穴量子自旋比特拥有更长的相干时间，有利于量子比特结构的扩展，且测量方式属于非破坏性测量，灵敏度高。

基本信息

专利标题：

可扩展量子比特结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021173439.1

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-06-22

授权号：

CN213660408U

授权日：

2021-07-09

发明人：

李海欧徐刚刘赫曹刚郭国平

申请人：

中国科学技术大学

申请人地址：

安徽省合肥市包河区金寨路96号

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

周天宇

优先权：

CN202021173439.1

主分类号：

H01L29/06

IPC分类号：

H01L29/06 H01L29/66 B82Y30/00 B82Y40/00 G01R29/24 G06N10/00