液氮温区超导薄膜及其制备方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明的液氮温区超导薄膜制备工艺，按AxB5-xCu5O5(3-y)或AxB1-xCuO3-y体系制成化合物靶，其中A＝Ca，Sr，Ba；B＝Sc，Y，La；X＝0.5-0.6；Y＝0.5-1；后者体系X＝0.3-0.7。用直流(或射频)磁控拣射和热处理工艺，工艺简单、可重复，稳定性好。制备的薄膜厚度0.5-1μm，在液氮温区呈现超导，用电阻法或感应法可测量其薄膜的超导电性。
基本信息
专利标题 ：
液氮温区超导薄膜及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1032087A
申请号 ：
CN87102739.9
公开（公告）日 ：
1989-03-29
申请日 ：
1987-04-15
授权号 ：
CN1004951B
授权日 ：
1989-08-02
发明人 ：
赵柏儒王会生陆勇史引焕赵玉英李林
申请人 ：
中国科学院物理研究所
申请人地址 ：
北京603信箱
代理机构 ：
中国科学院物理研究所专利办公室
代理人 ：
张爱莲
优先权 ：
CN87102739.9
主分类号 ：
H01B12/06
IPC分类号 ：
H01B12/06 C22C29/12
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01B
电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择
H01B12/00
超导或高导导体、电缆或传输线
H01B12/02
按其形状区分的
H01B12/06
在基体上或线芯上的薄膜或线
法律状态
1993-07-28 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1990-03-07 ：
授权
1989-08-02 ：
审定
1989-03-29 ：
公开
1987-09-16 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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