多组元金属氧化物薄膜的制备方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明公开了一种采用多离子束反应共溅射装置制备金属氧化物薄膜的方法，采用四个离子源，其中三个为溅射离子源，对着衬底的第四个离子源在成膜前对衬底进行预溅射清洗，并在成膜过程中进行动态混合，通过使衬底加热、旋转，经由专门的通气管或(和)经由第四个离子源通过反应氧气，在不同衬底材料上在位生产制备均匀优质的外延或择优取向的单元、双元和多组元金属氧化物薄膜。
基本信息
专利标题 ：
多组元金属氧化物薄膜的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1046356A
申请号 ：
CN90105788.6
公开（公告）日 ：
1990-10-24
申请日 ：
1990-03-22
授权号 ：
CN1024146C
授权日 ：
1994-04-06
发明人 ：
肖定全肖志力朱居木郭华聪谢必正
申请人 ：
四川大学
申请人地址 ：
610064四川省成都市九眼桥
代理机构 ：
四川大学专利事务所
代理人 ：
侯绍桂
优先权 ：
CN90105788.6
主分类号 ：
C23C14/46
IPC分类号 ：
C23C14/46 C23C14/08
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/46
用外部离子源产生的离子束法
法律状态
1996-05-08 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1994-04-06 ：
授权
1991-01-23 ：
实质审查请求已生效的专利申请
1990-10-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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