一种基于自牺牲金属氧化物薄膜模板制备金属-有机框架薄膜的...
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种基于自牺牲金属氧化物薄膜模板制备金属‑有机框架薄膜的方法，首先采用晶种法在基底表面生长一层致密的金属氧化物薄膜，然后利用MOFs的前驱体咪唑和钼酸(或钨酸)不断地刻蚀金属氧化物薄膜模板，从而制得表面平整、均匀致密、结晶性好的MOFs(HZIFs)薄膜。本发明方法实现了MOFs(HZIFs)薄膜材料的高致密生长，克服了现有技术中MOFs薄膜仅能在高温下才能生长的技术难题，能够广泛适用于气体分离、传感器和电催化领域。同时本发明MOFs薄膜材料可以根据实际需要选择相应的平面基底或者三维基底，具有很高的普适性，从而为MOFs薄膜材料的大范围应用提供了新的途径。
基本信息
专利标题 ：
一种基于自牺牲金属氧化物薄膜模板制备金属-有机框架薄膜的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114369252A
申请号 ：
CN202011098732.0
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2020-10-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
谷志刚王大为康遥张健
申请人 ：
中国科学院福建物质结构研究所
申请人地址 ：
福建省福州市杨桥西路155号
代理机构 ：
北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
聂稻波
优先权 ：
CN202011098732.0
主分类号 ：
C08G83/00
IPC分类号 ：
C08G83/00 C08J5/18 C25B11/095 C25B1/04 C08L87/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C08
有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物
C08G
用碳-碳不饱和键以外的反应得到的高分子化合物
C08G83/00
在C08G2/00到C08G81/00组中不包含的高分子化合物
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C08G 83/00
申请日 : 20201014
申请日 : 20201014
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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