金属薄膜复合制备装置及工艺
发明专利申请公布后的驳回
摘要
本发明公开了一种金属薄膜复合制备装置及工艺，要解决的技术问题是在工件表面快速沉积结合力好、纯度高的金属薄膜，本发明的金属薄膜复合制备装置，镀膜室体内设有蒸发源和工件转架，镀膜室体中设有磁控溅射源，工件转架设置在磁控溅射源和蒸发源之间，其制备工艺包括以下步骤：镀膜室体内抽真空；真空度小于1×10－2Pa后，向镀膜室体内充入氩气至真空度在3×10－2Pa～1Pa之间，在工件表面磁控溅射沉积金属膜；开启蒸发源在磁控溅射金属镀层上蒸镀同类金属，本发明与现有技术相比，沉积金属膜时先采用磁控溅射工艺，然后用真空蒸镀工艺，利用磁控溅射、真空蒸镀各自的优点，使膜纯度提高，与基体的结合力增强，进一步提高真空镀膜产品的质量。
基本信息
专利标题 ：
金属薄膜复合制备装置及工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1793416A
申请号 ：
CN200510120798.4
公开（公告）日 ：
2006-06-28
申请日 ：
2005-12-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
马胜歌张德元耿漫赵和平
申请人 ：
深圳国家863计划材料表面工程技术研究开发中心
申请人地址 ：
518008广东省深圳市宝安南路洪涛大厦
代理机构 ：
深圳市中知专利商标代理有限公司
代理人 ：
孙皓
优先权 ：
CN200510120798.4
主分类号 ：
C23C14/22
IPC分类号 ：
C23C14/22 C23C14/24 C23C14/35 C23C14/54 C23C14/56
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
法律状态
2009-07-01 ：
发明专利申请公布后的驳回
2006-08-23 ：
实质审查的生效
2006-06-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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