金属氧化物薄膜晶体管、显示面板及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本申请实施例提供一种金属氧化物薄膜晶体管、显示面板及其制备方法，其中，金属氧化物薄膜晶体管包括缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极层和介电层，有源层设置在缓冲层的一侧，有源层的材料为金属氧化物；栅极绝缘层设置在有源层远离缓冲层的一侧；栅极层设置在栅极绝缘层远离有源层的一侧；介电层设置在栅极层远离缓冲层的一侧，且介电层覆盖部分有源层、部分缓冲层和部分栅极绝缘层，在缓冲层至有源层的方向上，介电层包括依次层叠设置的氧化硅子层和阻挡子层，阻挡子层的覆盖性能大于氧化硅子层的覆盖性能。本申请实施例通过覆盖性能更大的阻挡子层不发生断裂，避免了由于介电层完全断裂而导致水汽进入影响其它器件的情况。
基本信息
专利标题 ：
金属氧化物薄膜晶体管、显示面板及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420764A
申请号 ：
CN202210043838.3
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-01-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
胡绍君李义钊其他发明人请求不公开姓名
申请人 ：
深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市光明新区公明街道塘明大道9-2号
代理机构 ：
深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人 ：
唐秀萍
优先权 ：
CN202210043838.3
主分类号 ：
H01L29/786
IPC分类号 ：
H01L29/786 H01L21/34
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/786
申请日 : 20220114
申请日 : 20220114
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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