一种在异质衬底上生长高质量氮化铝薄膜的方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种在异质衬底上生长高质量氮化铝薄膜的方法，包括：S1，在异质衬底上生长石墨烯薄膜；S2，等离子体处理石墨烯薄膜，使石墨烯薄膜表面形成大量悬挂键；S3，在石墨烯薄膜表面金属有机化学气相沉积氮化铝薄膜；S4，高温退火，得到表面结构平整且位错密度低的氮化铝薄膜。本发明提供的方法实施工艺简单，适合在氮化铝薄膜生长及光电器件和电子器件制造领域应用。
基本信息
专利标题 ：
一种在异质衬底上生长高质量氮化铝薄膜的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284397A
申请号 ：
CN202011036503.6
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2020-09-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
魏同波常洪亮闫建昌王军喜李晋闽
申请人 ：
中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
周天宇
优先权 ：
CN202011036503.6
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L33/32 H01L21/02
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20200927
申请日 : 20200927
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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