一种生长在Si衬底上的GaN薄膜
授权
摘要
本实用新型公开了生长在Si衬底上的GaN薄膜，包括依次生长在Si衬底上的AlN缓冲层、第一GaN缓冲层、第二GaN缓冲层和GaN薄膜；第一GaN缓冲层的上部形成有阵列排布的第一沟槽；第二GaN缓冲层的下部沉积在第一沟槽内，第二GaN缓冲层的上部形成有阵列排布的第二沟槽；第一沟槽和第二沟槽在垂直方向上不重叠；GaN薄膜的下部沉积在第二沟槽内。该生长在Si衬底上的GaN薄膜通过多次刻蚀，增加GaN的横向外延，有效抑制位错往上延伸，具有生长高晶体质量薄膜的优点。
基本信息
专利标题 ：
一种生长在Si衬底上的GaN薄膜
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021166620.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-22
授权号 ：
CN212085035U
授权日 ：
2020-12-04
发明人 ：
高芳亮
申请人 ：
宜兴曲荣光电科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市宜兴经济技术开发区永安西路南侧
代理机构 ：
广州专才专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
曾嘉仪
优先权 ：
CN202021166620.X
主分类号 ：
H01L33/20
IPC分类号 ：
H01L33/20 H01L33/12 H01L31/0352 H01L31/075 H01L31/105 H01L31/18 H01L33/00
法律状态
2020-12-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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