蓝宝石斜切衬底优化氧化镓薄膜生长及日盲紫外探测器性能的方...
授权
摘要
本发明提供了一种蓝宝石衬底表面斜切氧化镓探测器及其制造方法，以及氧化镓薄膜的制造方法。所述的探测器包括依次叠置的衬底、氧化镓薄膜和电极，其中氧化镓薄膜为β‑Ga2O3薄膜，衬底为Al2O3衬底。通过对Al2O3衬底进行不同角度斜切处理，能够增强光电探测器的性能。本发明的工艺可控性强、容易操作。本发明制得的氧化镓薄膜表面致密、厚度稳定均一，适于大面积制备、且复性好。本发明制得的光电探测器响应度高、暗电流小、紫外可见抑制比高、制造工艺简单，且所用材料容易获得。
基本信息
专利标题 ：
蓝宝石斜切衬底优化氧化镓薄膜生长及日盲紫外探测器性能的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110061089A
申请号 ：
CN201910204193.5
公开（公告）日 ：
2019-07-26
申请日 ：
2019-03-18
授权号 ：
CN110061089B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
夏恒谷雪
申请人 ：
北京镓族科技有限公司
申请人地址 ：
北京市顺义区仁和镇顺强路一号一幢2号厂房2层西侧北部
代理机构 ：
北京清诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
乔东峰
优先权 ：
CN201910204193.5
主分类号 ：
H01L31/101
IPC分类号 ：
H01L31/101 H01L31/0392 H01L31/032 H01L31/18
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2021-05-04 ：
专利申请权、专利权的转移
专利申请权的转移IPC(主分类) : H01L 31/101
登记生效日 : 20210422
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 北京镓族科技有限公司
变更后权利人 : 北京铭镓半导体有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 101300 北京市顺义区仁和镇顺强路一号一幢2号厂房2层西侧北部
变更后权利人 : 101300 北京市顺义区顺强路1号1幢1层102室
登记生效日 : 20210422
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 北京镓族科技有限公司
变更后权利人 : 北京铭镓半导体有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 101300 北京市顺义区仁和镇顺强路一号一幢2号厂房2层西侧北部
变更后权利人 : 101300 北京市顺义区顺强路1号1幢1层102室
2019-08-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/101
申请日 : 20190318
申请日 : 20190318
2019-07-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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