一种非制冷红外探测器隔热衬底制作方法
专利权的终止
摘要
本发明涉及一种非制冷红外探测器隔热衬底制作方法，属于微机电系统领域。采用阳极氧化法制作多孔硅，然后在多孔硅上淀积一层过渡层氮化硅薄膜，制作成非制冷红外探测器隔热衬底，尔后的器件制作就在这一层氮化硅薄膜上进行。由于在多孔硅与红外材料之间插入了一种中间过渡层，改善了由于多孔硅造成的表面不平将可以大幅度提高红外材料的晶体质量，从而提高器件的性能。
基本信息
专利标题 ：
一种非制冷红外探测器隔热衬底制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1799987A
申请号 ：
CN200510110416.X
公开（公告）日 ：
2006-07-12
申请日 ：
2005-11-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王连卫钱敏徐少辉王哲津
申请人 ：
华东师范大学
申请人地址 ：
200062上海市中山北路3663号
代理机构 ：
上海德昭知识产权代理有限公司
代理人 ：
程宗德
优先权 ：
CN200510110416.X
主分类号 ：
B81C1/00
IPC分类号 ：
B81C1/00 G01J5/20
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B81
微观结构技术
B81C
专门适用于制造或处理微观结构的装置或系统的方法或设备
B81C1/00
在基片内或其上制造或处理的装置或系统
法律状态
2018-11-06 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : B81C 1/00
申请日 : 20051116
授权公告日 : 20080723
终止日期 : 20171116
申请日 : 20051116
授权公告日 : 20080723
终止日期 : 20171116
2011-12-21 ：
专利实施许可合同备案的生效、变更及注销
专利实施许可合同备案的生效号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101235908786
IPC(主分类) : B81C 1/00
专利申请号 : 200510110416X
专利号 : ZL200510110416X
让与人 : 华东师范大学
受让人 : 上海欧普泰科技创业有限公司
发明名称 : 一种非制冷红外探测器隔热衬底制作方法
申请日 : 20051116
公开日 : 20060712
授权公告日 : 20080723
许可种类 : 独占许可
备案日期 : 20111024
合同备案号 : 2011310000225
号牌文件序号 : 101235908786
IPC(主分类) : B81C 1/00
专利申请号 : 200510110416X
专利号 : ZL200510110416X
让与人 : 华东师范大学
受让人 : 上海欧普泰科技创业有限公司
发明名称 : 一种非制冷红外探测器隔热衬底制作方法
申请日 : 20051116
公开日 : 20060712
授权公告日 : 20080723
许可种类 : 独占许可
备案日期 : 20111024
合同备案号 : 2011310000225
2011-12-07 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101227705739
IPC(主分类) : B81C 1/00
专利号 : ZL200510110416X
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 华东师范大学
变更后权利人 : 上海欧普泰科技创业有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 200062 上海市中山北路3663号
变更后权利人 : 200333 上海市中江路879弄27号楼208室
登记生效日 : 20111026
号牌文件序号 : 101227705739
IPC(主分类) : B81C 1/00
专利号 : ZL200510110416X
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 华东师范大学
变更后权利人 : 上海欧普泰科技创业有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 200062 上海市中山北路3663号
变更后权利人 : 200333 上海市中江路879弄27号楼208室
登记生效日 : 20111026
2008-07-23 ：
授权
2006-09-06 ：
实质审查的生效
2006-07-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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