一种Si衬底MoS2近红外光探测器
授权
摘要
本实用新型公开了一种Si衬底MoS2近红外光探测器，从下到上依次包括Si衬底、MoS2功能层及Ni/Au金属层电极，所述Ni/Au金属层电极位于MoS2功能层上表面的两端，所述MoS2功能层的上表面镀一层纳米级的Ag颗粒。本实用新型有效降低表面对近红外光的反射损耗，增强近红外光谐振吸收，实现高灵敏度高带宽探测。
基本信息
专利标题 ：
一种Si衬底MoS2近红外光探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921806488.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-25
授权号 ：
CN210805801U
授权日 ：
2020-06-19
发明人 ：
王文樑李国强杨昱辉孔德麒
申请人 ：
华南理工大学
申请人地址 ：
广东省广州市天河区五山路381号
代理机构 ：
广州市华学知识产权代理有限公司
代理人 ：
王东东
优先权 ：
CN201921806488.1
主分类号 ：
H01L31/102
IPC分类号 ：
H01L31/102 H01L31/0216 H01L31/0224 H01L31/032 H01L31/18
法律状态
2020-06-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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