一种近红外光电探测器
授权
摘要
本实用新型公开了一种近红外光电探测器，从下到上依次包括背电极层、掺杂半导体层、前电极层；所述前电极层设置于掺杂半导体层的顶面一侧，在所述前电极层的内侧面设置有与所述前电极层的侧面夹角相交的多个相互间平行设置的纳米结构层；所述纳米结构层和前电极层形成一相交的梳子状结构；所述纳米结构层和前电极层均设置在掺杂半导体层上。本实用新型的近红外光电探测器的Ti3C2TX被证明具有很好的金属性，因此可以作为基于热电子探测的近红外光电探测器中的金属部分。由于外部官能团的存在，而且官能团之间没有相互的连接，因此它作为探测器具有很低电噪声，信噪比高。
基本信息
专利标题 ：
一种近红外光电探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922224855.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-12
授权号 ：
CN210628323U
授权日 ：
2020-05-26
发明人 ：
余鹏王志明马翠苹巫江
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
代理机构 ：
成都市集智汇华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李华
优先权 ：
CN201922224855.3
主分类号 ：
H01L31/0216
IPC分类号 ：
H01L31/0216 H01L31/101 H01L31/0224
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法律状态
2020-05-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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