一种二维PIN结红外光电探测器、探测器阵列及制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明的目的在于提供一种二维PIN结红外光电探测器、探测器阵列及其制备方法，属于光电探测器技术领域。本发明红外光电探测器阵列单元采用分子束外延方法制备，在制备过程中原位生长形成非对称二维薄膜PIN浅结结构，其中，P层采用射频磁控溅射方式对中性GeSn掺B进行改性，I层采用双源双控方法生长GeSn，N层采用高温原位掺杂方法对Ge薄膜进行掺杂处理后得到；同时设计相互垂直且等距排布的行导线和列导线，使阵列单元设置于行导线和列导线分割的空间内，再完成阵列单元与行导线和列导线的连接，即可得到光电探测阵列。本发明红外探测阵列可实现任意尺寸，且单个阵列单元的短路不会影响周围探测器的性能。
基本信息
专利标题 ：
一种二维PIN结红外光电探测器、探测器阵列及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284373A
申请号 ：
CN202111331892.X
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-11-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
邱孝鑫张岱南张有禄李晨光
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
代理机构 ：
电子科技大学专利中心
代理人 ：
吴姗霖
优先权 ：
CN202111331892.X
主分类号 ：
H01L31/0288
IPC分类号 ：
H01L31/0288 H01L31/105 H01L31/18 H01L27/144
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/0288
申请日 : 20211111
申请日 : 20211111
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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