光电探测器的制备方法
授权
摘要
本申请提供一种光电探测器的制备方法。所述制备方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一电极层；在所述第一电极上形成覆盖所述第一电极层的光吸收层，所述光吸收层的材料为铜铟镓硒；对所述光吸收层进行刻蚀，得到多个阵列排布的光吸收块；采用溴水与液态有机物的混合溶液作为刻蚀液对所述光吸收块的侧壁进行刻蚀，以去除所述光吸收块侧壁上的杂质；所述杂质与溴反应生成的化合物溶于所述液态有机物。
基本信息
专利标题 ：
光电探测器的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111312855A
申请号 ：
CN202010113650.2
公开（公告）日 ：
2020-06-19
申请日 ：
2020-02-24
授权号 ：
CN111312855B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
杜建华关峰高宇鹏袁广才曲峰王政焱王恒何可陈明杨春雷
申请人 ：
京东方科技集团股份有限公司;中国科学院深圳先进技术研究院
申请人地址 ：
北京市朝阳区酒仙桥路10号
代理机构 ：
北京博思佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈蕾
优先权 ：
CN202010113650.2
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L31/0352 H01L31/032
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2020-07-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/18
申请日 : 20200224
申请日 : 20200224
2020-06-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
