X射线直接探测器及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本申请属于光电技术领域，尤其涉及一种X射线直接探测器及其制备方法。其中，X射线直接探测器的制备方法，包括步骤：将有机脲、有机配体、卤化碳族金属和卤盐溶解于有机溶剂中，配置成前驱体溶胶；卤盐包括有机卤化铵或者卤化碱金属；将前驱体溶胶在衬底表面成膜处理后，退火处理，在衬底表面形成二维杂化钙钛矿的量子阵列膜层；在量子阵列膜层背离衬底的表面制备电极层，得到X射线直接探测器。本申请X射线直接探测器的制备方法，有机脲可以抑制二维杂化钙钛矿中八面体的快速聚集团聚，量子阵列膜层的厚度可以达到100μm以上，二维杂化钙钛矿在衬底表面垂直于衬底取向生长，形成厚度高、对X射线具有强吸收的量子阵列膜层，探测灵敏度高。
基本信息
专利标题 ：
X射线直接探测器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361203A
申请号 ：
CN202111414955.8
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-11-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
薛冬峰李云龙陈慧雯王晓明
申请人 ：
中国科学院深圳先进技术研究院
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区深圳大学城学苑大道1068号
代理机构 ：
深圳中一联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
曹柳
优先权 ：
CN202111414955.8
主分类号 ：
H01L27/30
IPC分类号 ：
H01L27/30 H01L51/42 H01L51/46 H01L51/48
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/30
申请日 : 20211125
申请日 : 20211125
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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