一种X射线探测器的制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种X射线探测器的制备方法，属于光电材料与器件技术领域，目的在于提供一种X射线探测器的制备方法，解决现有X射线探测器性能较差的问题。通过冷等静压技术制备了质量可控，面积厚度可调的钙钛矿/MXene复合材料。通过材料制备技术和材料性能调控，制备出基于钙钛矿/MXene复合材料的X射线探测器，提升了X射线探测器的性能。本发明适用于基于钙钛矿/MXene复合吸收材料的X射线探测器的制备方法。
基本信息
专利标题 ：
一种X射线探测器的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497392A
申请号 ：
CN202210036089.1
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
巫江魏顺勇任翱博沈凯
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
代理机构 ：
成都聚蓉众享知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘艳均
优先权 ：
CN202210036089.1
主分类号 ：
H01L51/48
IPC分类号 ：
H01L51/48 H01L51/46 H01L51/42
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 51/48
申请日 : 20220113
申请日 : 20220113
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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