一种红外探测器件制备方法
授权
摘要
本发明公开了一种红外探测器件制备方法，包括：根据预先确定的厚度和掺杂浓度在衬底上顺次生长第一电极层和吸收层；在所述吸收层上交替生长预设材料组合的势垒层；在所述势垒层上生长第二电极层；对完成生长的材料进行流片处理，制备高工作温度红外探测器件，本发明实施例通过预设材料组合的势垒层结构和器件刻蚀工艺，有效抑制红外探测器件存在较大的产生复合暗电流和表面漏电流的情况。
基本信息
专利标题 ：
一种红外探测器件制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112186070A
申请号 ：
CN202010903991.X
公开（公告）日 ：
2021-01-05
申请日 ：
2020-09-01
授权号 ：
CN112186070B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
周朋刘铭温涛邢伟荣
申请人 ：
中国电子科技集团公司第十一研究所
申请人地址 ：
北京市朝阳区酒仙桥路4号
代理机构 ：
工业和信息化部电子专利中心
代理人 ：
罗丹
优先权 ：
CN202010903991.X
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L31/109 H01L31/0304
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2021-01-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/18
申请日 : 20200901
申请日 : 20200901
2021-01-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
