双色铟镓砷红外探测器及其制备方法和应用
专利权的终止
摘要
本发明涉及一种双色铟镓砷(InGaAs)红外探测器，是在铟磷((InP)衬底上依次生长有InXGa1－XAs材料的适合探测3－ 5μm红外线波的光导层、绝缘层，适合探测1－3μm红外线波的PIN结构的InGaAs材料层。所述的红外探测器的制备方法是用金属有机气相淀积技术在InP衬底上生长InGaAs材料，制备一种对1－3μm、3－5μm两个波段同时探测的红外外延片，再用该外延片制造两个波段的红外探测器。该红外探测器可以用于制备多方向测量红外信号器件。
基本信息
专利标题 ：
双色铟镓砷红外探测器及其制备方法和应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1848460A
申请号 ：
CN200610034286.0
公开（公告）日 ：
2006-10-18
申请日 ：
2006-03-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孙慧卿范广涵郭志友
申请人 ：
华南师范大学
申请人地址 ：
510630广东省广州市天河区石牌
代理机构 ：
广州粤高专利代理有限公司
代理人 ：
何淑珍
优先权 ：
CN200610034286.0
主分类号 ：
H01L31/08
IPC分类号 ：
H01L31/08 H01L31/18
法律状态
2013-05-08 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101451118396
IPC(主分类) : H01L 31/08
专利号 : ZL2006100342860
申请日 : 20060315
授权公告日 : 20080827
终止日期 : 20120315
号牌文件序号 : 101451118396
IPC(主分类) : H01L 31/08
专利号 : ZL2006100342860
申请日 : 20060315
授权公告日 : 20080827
终止日期 : 20120315
2008-08-27 ：
授权
2006-12-13 ：
实质审查的生效
2006-10-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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