一种红外探测器及其制备方法

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摘要

本发明公开了一种红外探测器及其制备方法，包括：第一电极；Si基红外探测器，所述Si基红外探测器与所述第一电极连接；Si‑GeSi‑Ge纳米柱，述Si‑GeSi‑Ge纳米柱与所述Si基红外探测器连接；第二电极，所述第二电极与所述Si‑GeSi‑Ge纳米柱连接。所述Ge壳层具有较强的金属属性，可以与金属电极形成良好的界面接触，提高器件的光生载流子的提取效率；与此同时，可以使整个外加的偏压电场分布得更加均匀，有利于缩短光生载流子的迁移路径。Si‑GeSi‑Ge纳米柱可以起到减反膜的作用，同时其量子效应可以帮助提高对光的吸收效率。Si与Ge可以形成良好的异质结，提高对光的吸收效率。

基本信息

专利标题：

一种红外探测器及其制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112071924A

申请号：

CN202010771103.3

公开（公告）日：

2020-12-11

申请日：

2020-08-04

授权号：

CN112071924B

授权日：

2022-04-01

发明人：

杨为家邱晨吴质朴何畏

申请人：

深圳市奥伦德元器件有限公司

申请人地址：

广东省深圳市龙岗区龙城街道黄阁路天安数码创业园1号厂房B座3楼

代理机构：

广州嘉权专利商标事务所有限公司

代理人：

孙浩

优先权：

CN202010771103.3

主分类号：

H01L31/0232

IPC分类号：

H01L31/0232 H01L31/0216 H01L31/0224 H01L31/0352 H01L31/02 H01L31/109 H01L31/18 B82Y30/00 B82Y40/00