周期渐变超晶格宽光谱红外探测器及其制备方法
公开
摘要
本公开提供了一种周期渐变超晶格宽光谱红外探测器，包括：GaSb衬底(1)、外延片结构及第一金属电极(7)、第二金属电极(8)，外延片结构依次包括GaSb缓冲层(2)、P型欧姆接触层(3)、InAs/InAsSb周期渐变超晶格层(4)、N型欧姆接触层(5)和InAs盖层(6)，GaSb缓冲层(2)两侧露出部分分别设有第一金属电极(7)，InAs盖层(6)两侧分别设有第二金属电极(8)，第一金属电极(7)与对应一侧的第二金属电极(8)之间的GaSb缓冲层(2)、InAs盖层(6)表面及P型欧姆接触层(3)、InAs/InAsSb周期渐变超晶格层(4)、N型欧姆接触层(5)的侧表面生长有钝化层。本公开还提供了该红外探测器的制备方法。
基本信息
专利标题 ：
周期渐变超晶格宽光谱红外探测器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582996A
申请号 ：
CN202011396734.8
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2020-12-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
蒋俊锴牛智川徐应强王国伟蒋洞微常发冉李勇崔素宁陈伟强
申请人 ：
中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
王文思
优先权 ：
CN202011396734.8
主分类号 ：
H01L31/0352
IPC分类号 ：
H01L31/0352 H01L31/0224 H01L31/0304 H01L31/102 H01L31/18
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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