一种带有宽波段吸收增强结构的II类超晶格红外探测器及其制...
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种带有宽波段吸收增强结构的II类超晶格红外探测器及其制备方法，属于半导体红外探测器技术领域。该探测器包括以下结构：衬底层；重掺反射层，外延于衬底层上；缓冲层，外延于重掺反射层上；电极I、II类超晶格层，均设置在缓冲层上；电极II、非对称性微结构阵列层，以电极II环绕非对称性微结构阵列层的方式设置在II类超晶格层上；石墨烯层，覆盖电极II和非对称性微结构阵列层。通过重掺反射层、中间II类超晶格层以及II类超晶格层上特定结构的非对称性微结构阵列层，构建非对称等离子结构结构，从而提升该红外探测器的光响应速度、比探测率和吸收率，降低其暗电流。该探测器具有宽波段吸收增强功能，制作周期短且成本低，适合扩大化生产。
基本信息
专利标题 ：
一种带有宽波段吸收增强结构的II类超晶格红外探测器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114373821A
申请号 ：
CN202210027868.5
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2022-01-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朱鹏孙泰史浩飞肖磊魏兴战熊稳
申请人 ：
中国科学院重庆绿色智能技术研究院
申请人地址 ：
重庆市北碚区方正大道266号
代理机构 ：
北京同恒源知识产权代理有限公司
代理人 ：
廖曦
优先权 ：
CN202210027868.5
主分类号 ：
H01L31/102
IPC分类号 ：
H01L31/102 H01L31/0216 H01L31/0304 H01L31/0352 H01L31/18
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/102
申请日 : 20220111
申请日 : 20220111
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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