一种具有双波段吸收增强功能的II类超晶格红外探测器及其制...
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种具有双波段吸收增强功能的II类超晶格红外探测器及其制备方法，属于半导体红外探测器技术领域。将该红外探测器中II类超晶格层制成具有特定周期及占空比的光栅结构，并在其上蒸镀金属膜层，构建金属微结构，利用该结构异常的增透特性，使最终制备的红外探测器在5.5μm左后和10μm左右为中心波长的中波和长波波段实现了对入射光的选择性增强吸收，可以用于特定需求的红外成像探测器，提升了器件的性能。另外，红外探测器中构建该结构后，不仅可以减少本征吸收层的厚度，显著降低探测器的暗电流，提高了红外探测器的灵敏度，还可以避免因制备较厚本征吸收层导致的制作周期长、成本高的缺陷。
基本信息
专利标题 ：
一种具有双波段吸收增强功能的II类超晶格红外探测器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114373823A
申请号 ：
CN202210027276.3
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2022-01-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朱鹏孙泰史浩飞肖磊魏兴战熊稳
申请人 ：
中国科学院重庆绿色智能技术研究院
申请人地址 ：
重庆市北碚区方正大道266号
代理机构 ：
北京同恒源知识产权代理有限公司
代理人 ：
廖曦
优先权 ：
CN202210027276.3
主分类号 ：
H01L31/105
IPC分类号 ：
H01L31/105 H01L31/0304 H01L31/0352 H01L31/18
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/105
申请日 : 20220111
申请日 : 20220111
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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