红外探测器及其制备方法
实质审查的生效
摘要

本发明公开了一种红外探测器及其制备方法,该红外探测器包括依次生长在InP衬底上的第一接触层、倍增层、电荷层、第一吸收层、第二接触层、第三接触层、第二吸收层和第四接触层。第一接触层为p+InP;倍增层为不掺杂InP;电荷层为n型InP;第一吸收层为不掺杂In0.53Ga0.47As;第二接触层为n+InP;第三接触层为n+In0.53Ga0.47As;第二吸收层包括势垒层和n型InAs量子点层;势垒层为不掺杂In0.53Ga0.47As;第四接触层为n+In0.53Ga0.47As。

基本信息
专利标题 :
红外探测器及其制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114361282A
申请号 :
CN202110476635.9
公开(公告)日 :
2022-04-15
申请日 :
2021-04-29
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
顾溢孙夺刘大福李雪
申请人 :
无锡中科德芯光电感知技术研究院有限公司
申请人地址 :
江苏省无锡市新吴区弘毅路10号金乾座901—910室
代理机构 :
上海弼兴律师事务所
代理人 :
杨东明
优先权 :
CN202110476635.9
主分类号 :
H01L31/101
IPC分类号 :
H01L31/101  H01L31/107  H01L31/0352  H01L31/18  
法律状态
2022-05-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/101
申请日 : 20210429
2022-04-29 :
著录事项变更
IPC(主分类) : H01L 31/101
变更事项 : 申请人
变更前 : 无锡中科德芯光电感知技术研究院有限公司
变更后 : 无锡中科德芯感知科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 214028 江苏省无锡市新吴区弘毅路10号金乾座901—910室
变更后 : 214028 江苏省无锡市新吴区弘毅路10号金乾座901—910室
2022-04-15 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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