SACM结构InSb-APD中红外探测器及制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种SACM结构InSb‑APD中红外探测器，包括从下至上的N型InP衬底、N型InP缓冲层、非有意掺杂的InSb倍增层、P型InSb电荷层、P型InSb吸收层、P型GaSb接触层；P型GaSb接触层的上方设有上电极层，N型InP缓冲层的上方设有下电极层；还包括覆盖在探测器侧表面的钝化层。本发明还涉及上述探测器的制备方法。本发明利用禁带较宽的半导体材料作为上下接触层，形成双异质结结构，抑制扩散电流。
基本信息
专利标题 ：
SACM结构InSb-APD中红外探测器及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114530518A
申请号 ：
CN202210066554.6
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2022-01-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
叶伟萧生
申请人 ：
陕西理工大学
申请人地址 ：
陕西省汉中市汉台区东一环路1号
代理机构 ：
西安弘理专利事务所
代理人 ：
许志蛟
优先权 ：
CN202210066554.6
主分类号 ：
H01L31/107
IPC分类号 ：
H01L31/107 H01L31/0304 H01L31/18 C23C14/35 C23C14/06 C23C14/10 C23C14/24 C23C14/04
法律状态
2022-06-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/107
申请日 : 20220120
申请日 : 20220120
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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