本发明提供了一种超晶格探测器材料的生长方法，包括如下过程：准备衬底，并将衬底在真空生长室进行高温脱氧处理；在衬底上由下至上依次生长若干种超晶格探测器功能层，在任意相邻两种超晶格探测器功能层之间，前一种超晶格探测器功能层生长完成后暂停生长，利用V族元素浸润处理超晶格表面，同时将后一种超晶格探测器功能层生长所需源材料源炉温度升至生长温度并达到稳定状态后，再完成后一种超晶格探测器功能层的生长。该发明在两种不同超晶格探测器功能层生长之间插入一个生长停顿，同时在生长停顿过程中利用V族元素保护，可以有效减小背景As压波动，减少各超晶格探测器功能层之间As、Sb元素互混，提高超晶格探测器功能层衔接处界面质量。