一种适用于晶格失配外延材料的RT探测器及其应用
授权
摘要
本发明公开了一种适用于晶格失配外延材料的RT探测器及其应用，该适用于晶格失配外延材料的RT探测器包含一个光源和若干个子接收器；所述若干个子接收器的分布方式为阵列式分布；所述光源用于发出入射光，所述入射光传播到外设外延片表面形成光信号；所述子接收器用于接收由对应外延片形成的光信号，并对所接收的光信号进行光电转换以获得电信号；其实现了晶格失配结构外延片生长过程中生长温度的精确监控。
基本信息
专利标题 ：
一种适用于晶格失配外延材料的RT探测器及其应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113252205A
申请号 ：
CN202110370564.4
公开（公告）日 ：
2021-08-13
申请日 ：
2021-04-07
授权号 ：
CN113252205B
授权日 ：
2022-05-20
发明人 ：
刘雪珍张小宾高熙隆刘建庆杨文奕
申请人 ：
中山德华芯片技术有限公司
申请人地址 ：
广东省中山市火炬开发区火炬路22号之二第3-4层
代理机构 ：
广州嘉权专利商标事务所有限公司
代理人 ：
伍传松
优先权 ：
CN202110370564.4
主分类号 ：
G01K11/00
IPC分类号 ：
G01K11/00 G01N21/55 H01L31/12
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01K
温度测量；热量测量；未列入其他类目的热敏元件
G01K11/00
不包括在G01K3/00，G01K5/00，G01K7/00或G01K9/00各组的以物理或化学变化为基础的温度测量
法律状态
2022-05-20 ：
授权
2021-08-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01K 11/00
申请日 : 20210407
申请日 : 20210407
2021-08-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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