一种超晶格材料、制备方法及应用
授权
摘要
本发明公开了一种超晶格材料、制备方法及应用，属于半导体技术领域。一种超晶格材料，包括：InAs/GaSb复合层，厚度为1μm～3μm，由数量相等的若干层GaSb层和InAs层依次交替设置形成；柔性衬底，设置于InAs/GaSb复合层的InAs层一侧表面，为电镀铜膜或聚酰亚胺膜中的至少一种。本发明提出的超晶格材料，通过合理的控制超晶格材料的厚度以及衬底的柔韧性，能够实现上述超晶格材料的柔性化，使其适用于更多场景。
基本信息
专利标题 ：
一种超晶格材料、制备方法及应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113380909A
申请号 ：
CN202110515702.3
公开（公告）日 ：
2021-09-10
申请日 ：
2021-05-12
授权号 ：
CN113380909B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
黄辉廉黄珊珊刘恒昌刘雪珍杨文奕
申请人 ：
中山德华芯片技术有限公司
申请人地址 ：
广东省中山市火炬开发区火炬路22号之二第3-4层
代理机构 ：
广州嘉权专利商标事务所有限公司
代理人 ：
伍传松
优先权 ：
CN202110515702.3
主分类号 ：
H01L31/0304
IPC分类号 ：
H01L31/0304 H01L31/0352 H01L31/18
法律状态
2022-05-03 ：
授权
2021-09-28 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/0304
申请日 : 20210512
申请日 : 20210512
2021-09-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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