一种晶格失配的五结太阳能电池
授权
摘要
本实用新型公开了一种晶格失配的五结太阳能电池，在Ge衬底上依次设有GaInP成核层、GaInAs缓冲层、AlGaInAs DBR反射层、AlGaInAs晶格渐变缓冲层、第一GaInAs子电池、第二GaInAs子电池、第一GaInP子电池、第二GaInP子电池和GaInAs帽层，GaInP成核层、GaInAs缓冲层、AlGaInAs DBR反射层与Ge衬底晶格匹配，第一GaInAs子电池、第二GaInAs子电池、第一GaInP子电池和第二GaInP子电池的外延层与Ge衬底晶格失配，且各外延层之间保持晶格匹配。本实用新型可以有效提升子电池载流子收集效率和电池填充因子，从而提升五结太阳能电池的光电转换效率；与大多数五结电池相比，该结构无需生长高质量生长条件苛刻的GaInNAs外延层，产品开发难度和规模化生长成本大幅降低。
基本信息
专利标题 ：
一种晶格失配的五结太阳能电池
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921181197.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-25
授权号 ：
CN210535681U
授权日 ：
2020-05-15
发明人 ：
刘恒昌刘建庆文宏高熙隆刘雪珍黄珊珊黄辉廉
申请人 ：
中山德华芯片技术有限公司
申请人地址 ：
广东省中山市火炬开发区火炬路22号之二第3-4层
代理机构 ：
广州市华学知识产权代理有限公司
代理人 ：
冯炳辉
优先权 ：
CN201921181197.8
主分类号 ：
H01L31/078
IPC分类号 ：
H01L31/078 H01L31/18
法律状态
2020-05-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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