一种具有超晶格的硅基薄膜太阳能电池
专利权的终止
摘要

一种具有超晶格的硅基薄膜太阳能电池,包括:一基板,该基板的一面为照光面;一用于取出电能与提升光电转换的效率的透明导电膜,形成于该基板上;一用于产生空穴的非晶硅P型半导体层,形成于该透明导电膜上方;一由非晶硅与结晶硅相互堆栈而成并用以提高太阳能电池的电特性的超晶格半导体层,形成于该P型半导体层上方;一用以提高太阳能电池的电特性的本质型半导体层,该本质型半导体层内具有镶埋结晶硅,形成于超晶格半导体层上方;一用于产生电子的N型半导体层,形成于该本质型半导体层上方;以及一电极,形成于该N型半导体层上方。该超晶格半导体层利用不同材料分薄膜相互堆栈而成,用以提高光电特性,并增加太阳能电池分光电转换效率。

基本信息
专利标题 :
一种具有超晶格的硅基薄膜太阳能电池
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200820004224.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2008-02-01
授权号 :
CN201185192Y
授权日 :
2009-01-21
发明人 :
简永杰杨茹媛张育绮田伟辰
申请人 :
东捷科技股份有限公司
申请人地址 :
中国台湾台南县新市乡南科五路6号3楼
代理机构 :
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 :
梁挥
优先权 :
CN200820004224.X
主分类号 :
H01L31/075
IPC分类号 :
H01L31/075  H01L31/036  
法律状态
2011-04-20 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101063891847
IPC(主分类) : H01L 31/075
专利号 : ZL200820004224X
申请日 : 20080201
授权公告日 : 20090121
终止日期 : 20100201
2009-01-21 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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