控制晶体内的晶格间距
发明专利申请公布后的驳回
摘要
通过使用电场形成和控制单分散粒子或单分散粒子混合物的粒子间距的方法。
基本信息
专利标题 ：
控制晶体内的晶格间距
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101084459A
申请号 ：
CN200580043945.0
公开（公告）日 ：
2007-12-05
申请日 ：
2005-12-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
D·斯诺斯维尔B·文森特C·鲍尔
申请人 ：
伊斯曼柯达公司
申请人地址 ：
美国纽约州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
段晓玲
优先权 ：
CN200580043945.0
主分类号 ：
G02B6/122
IPC分类号 ：
G02B6/122 C30B5/00 G02F1/01
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B6/00
光导；包含光导和其他光学元件的装置的结构零部件
G02B6/10
光波导式的
G02B6/12
集成光路类型
G02B6/122
基本光学元件，例如，传导光的光路
法律状态
2010-01-13 ：
发明专利申请公布后的驳回
2008-01-23 ：
实质审查的生效
2007-12-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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