正方晶格二维光子晶体
专利权的终止
摘要
本发明涉及二维光子晶体技术领域，特别是在低频范围内拥有很大的绝对禁带相对值的正方晶格二维光子晶体。与通常人工设计的光子晶体原胞有所不同，原胞被分割为10×10个包含高折射率和低折射率介电材料的正方形象素结构，高折射率介电材料和低折射率介电材料以一定的规律分布在原胞的象素中，具体为：其中1代表高折射率介电材料，0代表低折射率介电材料。本发明的原胞结构满足反演对称性。当晶格常数a取1μm时，本发明在硅/空气的材料背景下得到的低频区域绝对禁带的相对值为13.25％。
基本信息
专利标题 ：
正方晶格二维光子晶体
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1971312A
申请号 ：
CN200510086975.1
公开（公告）日 ：
2007-05-30
申请日 ：
2005-11-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
龚春娟胡雄伟
申请人 ：
中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
100083北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
段成云
优先权 ：
CN200510086975.1
主分类号 ：
G02B1/02
IPC分类号 ：
G02B1/02
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B1/00
按制造材料区分的光学元件；用于光学元件的光学涂层
G02B1/02
由晶体半导体，制成的
法律状态
2018-11-09 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : G02B 1/02
申请日 : 20051124
授权公告日 : 20080917
终止日期 : 20171124
申请日 : 20051124
授权公告日 : 20080917
终止日期 : 20171124
2016-03-30 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101730257267
IPC(主分类) : G02B 1/02
专利号 : ZL2005100869751
变更事项 : 专利权人
变更前 : 河南仕佳光子科技有限公司
变更后 : 河南仕佳光子科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 458030 河南省鹤壁市淇滨区黎阳路与衡山路交叉口西北角(民营工业园科技巷中段)
变更后 : 458030 河南省鹤壁市淇滨区黎阳路与衡山路交叉口西北角(民营工业园科技巷中段)
号牌文件序号 : 101730257267
IPC(主分类) : G02B 1/02
专利号 : ZL2005100869751
变更事项 : 专利权人
变更前 : 河南仕佳光子科技有限公司
变更后 : 河南仕佳光子科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 458030 河南省鹤壁市淇滨区黎阳路与衡山路交叉口西北角(民营工业园科技巷中段)
变更后 : 458030 河南省鹤壁市淇滨区黎阳路与衡山路交叉口西北角(民营工业园科技巷中段)
2011-07-06 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101109689062
IPC(主分类) : G02B 1/02
专利号 : ZL2005100869751
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中国科学院半导体研究所
变更后权利人 : 河南仕佳光子科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
变更后权利人 : 458030 河南省鹤壁市淇滨区黎阳路与衡山路交叉口西北角(民营工业园科技巷中段)
登记生效日 : 20110523
号牌文件序号 : 101109689062
IPC(主分类) : G02B 1/02
专利号 : ZL2005100869751
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中国科学院半导体研究所
变更后权利人 : 河南仕佳光子科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
变更后权利人 : 458030 河南省鹤壁市淇滨区黎阳路与衡山路交叉口西北角(民营工业园科技巷中段)
登记生效日 : 20110523
2008-09-17 ：
授权
2007-07-25 ：
实质审查的生效
2007-05-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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