基于光子晶体缺陷态模式控制的锥形光子晶体激光器

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摘要

本发明公开了一种基于光子晶体缺陷态模式控制的锥形光子晶体激光器，包括：一外延层的结构，该外延层的结构包含：N型衬底；N型限制层，位于N型衬底之上；完美一维光子晶体，位于N型限制层之上；有源区，位于完美一维光子晶体上；P型限制层，位于有源区之上；P型接触层，位于P型限制层之上；以及锥形结构，设置于该外延层的P面，该锥形结构包含：脊形波导部分；以及锥形波导部分，与脊形波导部分相连，实现增益；其中，完美一维光子晶体中还包含破坏该完美一维光子晶体周期性的缺陷层，有源区位于该缺陷层中。该激光器能够改善半导体激光器光束质量，提高输出功率，减小垂直方向发散角，实现稳定的垂直模式输出。

基本信息

专利标题：

基于光子晶体缺陷态模式控制的锥形光子晶体激光器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109599743A

申请号：

CN201811413063.4

公开（公告）日：

2019-04-09

申请日：

2018-11-23

授权号：

CN109599743B

授权日：

2022-04-29

发明人：

郑婉华周旭彦马晓龙陈忠浩渠红伟齐爱谊

申请人：

中国科学院半导体研究所

申请人地址：

北京市海淀区清华东路甲35号

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

任岩

优先权：

CN201811413063.4

主分类号：

H01S5/22

IPC分类号：

H01S5/22