单模光子晶体VCSEL

授权

摘要

本说明书揭示了具有单模输出和可选的单偏振输出的VCSEL(垂直腔表面发射激光器)器件。该器件通过在部分VCSEL顶部镜片中的浅蚀刻由根据PBG(光子带隙)效应的横向模限制给出。PBG区域环绕特征为大的纵向模损耗的MS区域(模整形区域)。MS区域环绕特征为低纵向模损耗的LA区域(光孔径区域)。MS区域不对到LA孔径的横向模限制作出贡献，横向模由PBG区域限制。从而对于单基模工作优化了VCSEL。

基本信息

专利标题：

单模光子晶体VCSEL

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101091293A

申请号：

CN200580040641.9

公开（公告）日：

2007-12-19

申请日：

2005-11-29

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

达恩·比克达尔斯文·比朔夫迈克尔·尤尔芒努斯·哈尔·马森弗朗西斯·帕斯卡尔·罗姆斯塔德

申请人：

阿赖特科技公司

申请人地址：

丹麦法鲁姆

代理机构：

北京银龙知识产权代理有限公司

代理人：

曾贤伟

优先权：

CN200580040641.9

主分类号：

H01S5/183

IPC分类号：

H01S5/183