应用于晶格失配太阳能电池外延生长的晶格渐变缓冲层
授权
摘要
本实用新型公开了一种应用于晶格失配太阳能电池外延生长的晶格渐变缓冲层，位于晶格失配太阳能电池的晶格失配外延材料和衬底(或与衬底晶格常数相同的外延层)之间，由多套具有不同反射波段的复合DBR叠置而成，每套复合DBR由多对叠置在一起的DBR对构成，且相邻DBR对之间的晶格常数呈梯度变化，每对DBR对包含两层半导体材料层，该两层半导体材料层的折射率不同但晶格常数相同或存在能够达到应变补偿的失配。本实用新型将具有宽谱反射的复合DBR有机融合入晶格渐变缓冲层中，既可以大幅降低晶格失配外延材料生长引入的大量位错等缺陷密度，又可以充分发挥反射镜的作用，同时缩减工艺步骤、生长时长和原材料损耗，有利于降低成本。
基本信息
专利标题 ：
应用于晶格失配太阳能电池外延生长的晶格渐变缓冲层
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921181179.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-25
授权号 ：
CN210272385U
授权日 ：
2020-04-07
发明人 ：
刘建庆高熙隆文宏刘雪珍刘恒昌
申请人 ：
中山德华芯片技术有限公司
申请人地址 ：
广东省中山市火炬开发区火炬路22号之二第3-4层
代理机构 ：
广州市华学知识产权代理有限公司
代理人 ：
冯炳辉
优先权 ：
CN201921181179.X
主分类号 ：
H01L31/0304
IPC分类号 ：
H01L31/0304 H01L31/0352 H01L31/041 H01L31/0687 H01L31/0693
法律状态
2020-04-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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