缓变晶格外延层的生长
被视为撤回的申请
摘要
本发明揭示了一种在基片上生长立方晶系半导体材料的外延层的方法。其中外延层的晶格常数从邻接于基片的初始晶格常数缓变至外延层表面上的最终晶格常数，生长表面被形成在基片上。在外延层的晶格常数从初始晶格常数变至最终晶格常数时，便生长成外延层。
基本信息
专利标题 ：
缓变晶格外延层的生长
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85109212A
申请号 ：
CN85109212
公开（公告）日 ：
1986-07-30
申请日 ：
1985-12-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
麦尔文·西莫尔·库克
申请人 ：
麦尔文·西莫尔·库克
申请人地址 ：
美国新泽西州萨迪利河
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
赵越
优先权 ：
CN85109212
主分类号 ：
H01L21/20
IPC分类号 ：
H01L21/20
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
法律状态
1988-08-10 ：
被视为撤回的申请
1986-07-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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