本专利公开了一种基于锑快门开关的无失配II类超晶格结构。其单周期结构包括GaSb层，InAs层和InAsSb界面层三层结构。其制备方法是在II类超晶格周期性结构生长过程中，GaSb生长后直接生长InAs层，InAs生长后，打开Sb快门，使得Sb和InAs层中的As进行元素置换，从而形成InAsSb界面层。其特点在于：由于取消了InSb界面层的直接生长，仅在InAs生长后通过引入Sb浸润形成InAsSb界面层，既满足了应力补偿的需求，又简化了界面制备工艺难度，此外，避免了大失配InSb界面直接生长时引入的岛装结构缺陷，提高了材料性能。