一种超晶格量子点结构
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摘要
本实用新型涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种超晶格量子点结构，旨在解决现有技术中衬底和化合物半导体材料,有着不同晶格常数和热膨胀系数,若直接生长化合物半导体材料在衬底上,会形成缺陷并进一步影响生长质量和器件性能的问题，其技术要点在于包括衬底，所述衬底上外延生长有活性层，所述活性层相对所述衬底一侧生长有一层或多层异质量子点结构；所述异质量子点结构包括间隔设置的诱导层和间隔层，位于同层的所述诱导层相比所述间隔层靠近所述衬底一侧。本实用新型可有效增大量子点大小，亦可抑制聚结点的形成,可有效作为光学器件或电子器件实现阻隔缺陷的钝化层，而且制作工艺成本低，不需添加任何新的工艺设备即可完成。
基本信息
专利标题 ：
一种超晶格量子点结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921464586.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-04
授权号 ：
CN211404521U
授权日 ：
2020-09-01
发明人 ：
不公告发明人
申请人 ：
苏州辰睿光电有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区娄葑扬云路2号
代理机构 ：
北京三聚阳光知识产权代理有限公司
代理人 ：
张韬
优先权 ：
CN201921464586.1
主分类号 ：
H01L33/44
IPC分类号 ：
H01L33/44 H01S5/028 H01L23/29 H01L31/0216 H01L31/18 B82Y40/00
法律状态
2020-09-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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