一种基于AlGaN的具有不同铝组分的超晶格量子垒的深紫外...
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摘要
本发明具体涉及一种基于AlGaN的具有不同铝组分的超晶格量子垒的深紫外LED。该LED从下至上依次包括蓝宝石沉底，N型层、具有不同铝组分的超晶格量子垒有源区、电子阻挡层、P型层及接触层，还包括从N型层引出的n型欧姆电极以及从接触层引出的p型欧姆电极。将量子阱有源区中的量子垒设计成具有不同铝组分的超晶格量子垒，抑制了空穴的泄露、削弱了量子阱里的静电场，最终提高了电子和空穴在有源区里的辐射复合率。
基本信息
专利标题 ：
一种基于AlGaN的具有不同铝组分的超晶格量子垒的深紫外LED
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112614919A
申请号 ：
CN202011357868.9
公开（公告）日 ：
2021-04-06
申请日 ：
2020-11-27
授权号 ：
CN112614919B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
谷怀民刘娜娜杨先啓廖泽兵
申请人 ：
华南师范大学
申请人地址 ：
广东省广州市天河区中山大道西55号信息光电子科技学院
代理机构 ：
广州粤高专利商标代理有限公司
代理人 ：
何淑珍
优先权 ：
CN202011357868.9
主分类号 ：
H01L33/06
IPC分类号 ：
H01L33/06 H01L33/32 H01L33/14
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2021-04-23 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/06
申请日 : 20201127
申请日 : 20201127
2021-04-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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