本实用新型提供一种应用于FinFET工艺中探测边缘鳍晶格失配的测试结构，所述测试结构基于晶体管结构而成，包括衬底、源极、漏极、若干个栅极、若干个鳍及至少两个连接层；所有鳍沿Y方向分布且相互平行，所有栅极沿X方向等间距分布且相互平行，单个栅极从两侧及上部半包裹所有鳍；需要探测晶格失配的边缘鳍上设有用于外接探测电极的连接层，所述连接层同时也覆盖在源极或漏极上；每两个连接层和一个栅极为一组，同一组中的两个连接层对称设置在同组中栅极的两侧，且相邻的两组之间共用其中一个连接层。本实用新型还提供一种测试电路，该电路包括如上所述的一种应用于FinFET工艺中探测边缘鳍晶格失配的测试结构。